BW-4022C半导体综合测试系统
BW-4022C半导体综合测试系统
产品价格:¥200010.00(人民币)
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    商品详情

      BW-4022C


      半导体光耦/晶振/压敏综合测试系统


      BW-4022C半导体综合测试系统是针对于半导体器件开发专用测试的系统,经我公司产品升级与开发,目前亦可以对二极管、光电耦合器、压敏电阻、锂亚电池、晶振5种器件进行参数测试,性能、精度、测试范围均满足客户测试需求,可用于客户端来料检验、研发分析、 产品选型等重要检测设备之一。

      BW-4022C 半导体综合测试系统采用大规模 32 位 ARM&MCU 设计, PC 中文操作界面,程控软件基于 Lab VIEW 平台, 填充调用式菜单操作界面,测试界面简洁 灵活、人机界面友好。配合开尔文综合集成测试插座,根据不同器件更换测试座配合,系统可适配设置完成对二极管、光电耦合器、压敏电阻、锂亚电池、晶振5种元件的静态参数测试。

      该测试系统主要由测试主机和程控电脑及外部测试夹具三部分组成,并接受客户端MES系统进行测试指令:方案选取/开始/暂停/停止/数据上传等操作执行,并可将测试数据上传至MES系统由客户端处理。

      BW-4022C半导体综合测试系统可同时针对:

      【光耦】

      适用于〖三极管管型光耦/可控硅光耦/继电器光耦〗进行测试。

      【二极管】

      〖Diode /稳压Diode/ZD/SBC/TVS/整流桥堆〗进行测试。

      【压敏电阻】

      〖Kelvin /Vrrm /Vdrm /Irrm /Idrm /△Vr〗进行测试。

      【锂亚电池】

      〖Kelvin/电池空载电压(Vbt)/负载电压(Vbt_load )  /测试电流(0-10A 恒流 )/负载电压变化值(▲Vbt_load)/电池内阻(Vbt Res)  等进行测试。

      【晶振】

      〖震荡频率(Freq_osc )/谐振电阻(Ri)/频率精度(Freq_ppm)/测试频率范围(10kHz~10MHz)等测试。

      【其他测试功能可定制拓展】

      一、 设备规格与环境要求

      物理规格

      主机尺寸:深 660*宽 430*高 210(mm) 台式

      主机重量:<25kg

      产品色系:白色系

      工况环境

      主机功耗:<300W

      海拔高度:海拔不超过 1500m;

      环境要求:-20℃~60℃(储存)、5℃~50℃(工作);

      相对湿度: 20%RH~75%RH (无凝露,湿球温度计温度 45℃以下);

      大气压力:86Kpa~106Kpa;

      防护条件:无较大灰尘,腐蚀或性气体,导电粉尘等;

      供电要求

      电源配置:AC220V±10%、50Hz±1Hz;

      工作时间:连续;

      二、测试种类与技术指标

      1、光耦测试:

      输入(Input)相关参数

      · 正向电压

      · 符号:Vf

      · 最小值:无

      · 典型值:1.2 V

      · MAX值:1.4 V

      · 单位:V

      · 测试条件:If=20mA

      · 反向电流

      · 符号:Ir

      · 最小值:无

      · 典型值:无

      · MAX值:10 μA

      · 单位:μA

      · 测试条件:Vr=4V

      输出(Output)相关参数

      · 集电极暗电流

      · 符号:Iceo

      · 最小值:无

      · 典型值:无

      · MAX值:100 nA

      · 单位:nA

      · 测试条件:Vce-20V,If=0

      · 集电极 - 发射极击穿电压

      · 符号:BVceo

      · 最小值:80 V

      · 典型值:无

      · MAX值:无

      · 单位:V

      · 测试条件:Ic-0.1mA,If=0

      · 发射极 - 集电极击穿电压

      · 符号:BVeco

      · 最小值:6 V

      · 典型值:无

      · MAX值:无

      · 单位:V

      · 测试条件:Ie-10μA,,If=0

      · 集电极电流

      · 符号:Ic

      · 最小值:2.5 mA

      · 典型值:无

      · MAX值:30 mA

      · 单位:mA

      · 测试条件:If=5mA,Vce-5V

      · 电流传输比

      · 符号:CTR

      · 最小值:50 %

      · 典型值:无

      · MAX值:600 %

      · 单位:%

      · 测试条件:If=5mA,Vce-5V

      传输特性)相关参数

      · 集电极 - 发射极饱和电压

      · 符号:Vce

      · 最小值:无

      · 典型值:0.1 V

      · MAX值:0.2 V

      · 单位:V

      · 测试条件:If=20mA,Ic-1mA

      · 隔离电阻

      · 符号:Riso

      · 最小值: Ω

      · 典型值: Ω

      · MAX值:无

      · 单位:Ω

      · 测试条件:DC500V, 40 - 60% R.H.

      (以上参数基于晶体管LTV-816-Cu series特性参数)

      · 三极管管型光耦

      可控硅光耦

      继电器光耦

      2、二极管类测试

      · 二极管类:二极管

      二极管类:稳压二极管

      二极管类:稳压二极管

      二极管类:三端肖特基二极管 SBD(SchottkyBarrierDiode)

      二极管类: 瞬态二极

      二极管类:整流桥堆

      二极管类:三相整流桥堆

      3、压敏电阻测试

      · Kelvin 、Vrrm 、 Vdrm 、Irrm 、Idrm  、 △Vr ;(参数配置精度与二极管一致)

      4、锂亚电池测试

      · Kelvin(0~150mV)

      · 电池空载电压(Vbt)  0-100V  +-0.2%

      · 负载电压(Vbt_load )   0-100V  +-0.5%  测试电流(0-10A 恒流 )

      · 负载电压变化值(Vbt_load)0-10v +-5% 测试电流(0-10A 恒流 )

      · 电池内阻(Vbt Res)  0-10v +-5%  测试电流(0-10A 脉冲 )

      5、晶振测试

      · 震荡频率(Freq_osc )

      · 谐振电阻(Ri)

      · 频率精度(Freq_ppm)

      · 测试频率范围(10kHz~10MHz)

      测试参数

      符号

      量程

      测试范围

      测试条件

      测量精度

      震荡频率

      Fosc

      10kHz~100kHz

      100kHz~1MHz

      1MHz~5MHz

      5MHz~10MHz

      10kHz~10MHz


      0.1Hz

      谐振电阻

      Rz

      0~100K



      ±10%

      频率精度

      ppm


      0-1000


      0.01%





      三、参数配置与性能指标

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