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BW-4022C
半导体综合测试系统
BW-4022C半导体综合测试系统是针对于半导体器件开发专用测试的系统，经我公司产品升级与开发，目前亦可以对二极管、光电耦合器、压敏电阻、锂亚电池、晶振5种器件进行参数测试，性能、精度、测试范围均满足客户测试需求，可用于客户端来料检验、研发分析、 产品选型等重要检测设备之一。
BW-4022C 半导体综合测试系统采用大规模 32 位 ARM&MCU 设计， PC 中文操作界面，程控软件基于 Lab VIEW 平台， 填充调用式菜单操作界面，测试界面简洁 灵活、人机界面友好。配合开尔文综合集成测试插座，根据不同器件更换测试座配合，系统可适配设置完成对二极管、光电耦合器、压敏电阻、锂亚电池、晶振5种元件的静态参数测试。
该测试系统主要由测试主机和程控电脑及外部测试夹具三部分组成，并接受客户端MES系统进行测试指令：方案选取/开始/暂停/停止/数据上传等操作执行，并可将测试数据上传至MES系统由客户端处理。
BW-4022C半导体综合测试系统可同时针对：
【光耦】
适用于〖三极管管型光耦/可控硅光耦/继电器光耦〗进行测试。
【二极管】
--Kelvin /Type_ident /Pin_test /Vrrm/Irrm/V/△Vf/V_Vrrm/I_Irrm/△Vrrm；
〖Diode /稳压Diode/ZD/SBC/TVS/整流桥堆〗进行测试。
【压敏电阻】
〖Kelvin /Vrrm /Vdrm /Irrm /Idrm /△Vr〗进行测试。
【锂亚电池】
〖Kelvin/电池空载电压（Vbt）/负载电压(Vbt_load ) ?/测试电流（0-10A 恒流 ）/负载电压变化值（▲Vbt_load）/电池内阻(Vbt Res) ?等进行测试。
【晶振】
〖震荡频率(Freq_osc )/谐振电阻（Ri）/频率精度(Freq_ppm)/测试频率范围（10kHz~10MHz）等测试。
【其他测试功能可定制拓展】
一、 设备规格与环境要求
物理规格
主机尺寸：深?660*宽 430*高 210(mm) 台式
主机重量：＜25kg
产品色系：白色系
工况环境
主机功耗：＜300W
海拔高度：海拔不超过?1500m；
环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）；
相对湿度：?20%RH～75%RH (无凝露，湿球温度计温度 45℃以下)；
大气压力：86Kpa～106Kpa；
防护条件：无较大灰尘，腐蚀或性气体，导电粉尘等；
供电要求
电源配置：AC220V±10%、50Hz±1Hz；
工作时间：连续；
二、测试种类与技术指标
1、光耦测试：
输入（Input）相关参数
· 正向电压（Forward Voltage）：
·?符号：Vf
·?最小值：无
·?典型值：1.2 V
·?MAX值：1.4 V
·?单位：V
·?测试条件：If=20mA
· 反向电流（Reverse Current）：
·?符号：Ir
·?最小值：无
·?典型值：无
·?MAX值：10 μA
·?单位：μA
·?测试条件：Vr=4V
输出（Output）相关参数
· 集电极暗电流（Collector Dark Current）：
·?符号：Iceo
·?最小值：无
·?典型值：无
·?MAX值：100 nA
·?单位：nA
·?测试条件：Vce-20V,If=0
· 集电极?- 发射极击穿电压（Collector-Emitter Breakdown Voltage）：
·?符号：BVceo
·?最小值：80 V
·?典型值：无
·?MAX值：无
·?单位：V
·?测试条件：Ic-0.1mA,If=0
· 发射极?- 集电极击穿电压（Emitter-Collector Breakdown Voltage）：
·?符号：BVeco
·?最小值：6 V
·?典型值：无
·?MAX值：无
·?单位：V
·?测试条件：Ie-10μA,,If=0
· 集电极电流（Collector Current）：
·?符号：Ic
·?最小值：2.5 mA
·?典型值：无
·?MAX值：30 mA
·?单位：mA
·?测试条件：If=5mA,Vce-5V
· 电流传输比（Current Transfer Ratio）：
·?符号：CTR
·?最小值：50 %
·?典型值：无
·?MAX值：600 %
·?单位：%
·?测试条件：If=5mA,Vce-5V
传输特性（TRANSFER CHARACTERISTICS）相关参数
· 集电极?- 发射极饱和电压（Collector-Emitter Saturation Voltage）：
·?符号：Vce
·?最小值：无
·?典型值：0.1 V
·?MAX值：0.2 V
·?单位：V
·?测试条件：If=20mA,Ic-1mA
· 隔离电阻（Isolation Resistance）：
·?符号：Riso
·?最小值： Ω
·?典型值： Ω
·?MAX值：无
·?单位：Ω
·?测试条件：DC500V, 40 - 60% R.H.
（以上参数基于晶体管LTV-816-Cu series特性参数）
三极管管型光耦
可控硅光耦
继电器光耦
2、二极管类测试
· 二极管类：二极管
·?Diode
·?Kelvin ，Vrrm ，Irrm ，Vf?，△Vf?，△Vrrm ，Tr（选配）；
二极管类：稳压二极管
·?ZD（Zener Diode）
·?Kelvin ，Vz ，lr ，Vf?，△Vf?，△Vz?；
二极管类：稳压二极管
·?ZD（Zener Diode）
·?Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz；
二极管类：三端肖特基二极管?SBD（SchottkyBarrierDiode）
·?Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm；
二极管类：?瞬态二极管
·?TVS
·?Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm ?；
二极管类：整流桥堆
·?Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm；
二极管类：三相整流桥堆
·?Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm；
3、压敏电阻测试
·?Kelvin 、Vrrm?、?Vdrm 、Irrm 、Idrm ?、?△Vr ;（参数配置精度与二极管一致）
4、锂亚电池测试
·?Kelvin(0~150mV)
·?电池空载电压（Vbt） ?0-100V ?+-0.2%
·?负载电压(Vbt_load ) ? 0-100V ?+-0.5% ?测试电流（0-10A 恒流 ）
·?负载电压变化值（▲Vbt_load）0-10v +-5% 测试电流（0-10A 恒流 ）
·?电池内阻(Vbt Res) ?0-10v +-5% ?测试电流（0-10A 脉冲 ）
5、晶振测试
·?震荡频率(Freq_osc )
·?谐振电阻（Ri）
·?频率精度(Freq_ppm)
·?测试频率范围（10kHz~10MHz）
|
测试参数 |
符号 |
量程 |
测试范围 |
测试条件 |
测量精度 |
|
震荡频率 |
Fosc |
10kHz~100kHz 100kHz~1MHz 1MHz~5MHz 5MHz~10MHz |
10kHz~10MHz |
|
0.1Hz |
|
谐振电阻 |
Rz |
0~100K |
|
|
±10% |
|
频率精度 |
ppm |
|
0-1000 |
|
0.01% |
三、参数配置与性能指标
1. 电流/电压源?VIS自带VI测量单元
1）加压（FV）
|
量程 |
分辨率 |
精度 |
|
±40V |
19.5mV |
± 1%设定值+FullRange0.1%±?19.5mV |
|
±20V |
10mV |
±1%?设定值+FullRange0.1%±10mV |
|
±10V |
5mV |
±1%?设定值+FullRange0.1%±5mV |
|
±5V |
2mV |
±1%?设定值+FullRange0.1%±2mV |
|
±2V |
1mV |
±1%?设定值+FullRange0.1%±2mV |
2)加流(FI)：
|
量程 |
分辨率 |
精度 |
|
±100A |
195mA |
±2%?设定值+FullRange0.1%±100mA |
|
±40A |
19.5mA |
±2%?设定值+FullRange0.1%±30mA |
|
±4A |
1.95mA |
±1%?设定值+FullRange0.1%±2mA |
|
±400mA |
119.5uA |
±1%?设定值+FullRange0.1%±200uA |
|
±40mA |
11.95uA |
±1%?设定值+FullRange0.1%±20uA |
|
±4mA |
195nA |
±1%?设定值+FullRange0.1%±200nA |
|
±400uA |
19.5nA |
±1%?设定值+FullRange0.1%±20nA |
|
±40uA |
1.95nA |
±2%?设定值+FullRange0.1%±2nA |
说明：电流大于1.5A自动转为脉冲方式输出，脉宽范围：300us-1000us可调
3). 电流测量(MI)
|
量程 |
分辨率 |
精度 |
|
±100A |
12.2mA |
±5%?读数值+FullRange0.2%±100mA |
|
±40A |
1.22mA |
±1%?读数值+FullRange0.1%±20mA |
|
±4A |
122uA |
±0.5%?读数值+FullRange0.1%±2mA |
|
±400mA |
12.2uA |
±0.5%?读数值+FullRange0.1%±200uA |
|
±40mA |
1.22uA |
±0.5%?读数值+FullRange0.1%±20uA |
|
±4mA |
122nA |
±0.5%?读数值+FullRange0.1%±2uA |
|
±400uA |
12.2nA |
±0.5%?读数值+FullRange0.1%±200nA |
|
±40uA |
1.22nA |
±1%?读数值+FullRange0.1%±20nA |
4). 电压测量(MV)
|
量程 |
分辨率 |
精度 |
|
±40V |
1.22mV |
±1%?读数值+FullRange0.1%±20mV |
|
±20V |
122uV |
±0.5%?读数值+FullRange0.1%±2mV |
|
±10V |
12.2uV |
±0.5%?读数值+FullRange0.1%±200uV |
|
±5V |
1.22uV |
±0.5%?读数值+FullRange0.1%±20uV |
2.?数据采集部分?VM （16位ADC，100K/S采样速率）
1). 电压测量(MV)
|
量程 |
分辨率 |
精度 |
|
±2000V |
1.22mV |
±1%?读数值+FullRange0.1%±20mV |
|
±100V |
122uV |
±0.5%?读数值+FullRange0.1%±2mV |
|
±10V |
12.2uV |
±0.5%?读数值+FullRange0.1%±200uV |
|
±1V |
1.22uV |
±0.5%?读数值+FullRange0.1%±20uV |
2). 漏电流测量(MI)
|
量程 |
分辨率 |
精度 |
|
±100mA |
30uA |
±1%?读数值+FullRange0.1%±30uA |
|
±10mA |
3uA |
±1% ??读数值+FullRange0.1%±3uA |
|
±1mA |
300nA |
±1%?读数值+FullRange0.1%±300nA |
|
±100uA |
30nA |
±1%?读数值+FullRange0.1%±30nA |
|
±10uA |
3nA |
±1%?读数值+FullRange0.1%±10nA |
|
±1uA |
300pA |
±1%?读数值+FullRange0.1%±10nA |
|
±100nA |
30pA |
±1%?读数值+FullRange0.1%±5nA |
3.?高压源 ?HVS(基本)16位DAC
1).加压(FV)
|
量程 |
分辨率 |
精度 |
|
2000V/10mA |
30.5mV |
±0.5%?设定值+FullRange0.1%±500mV |
|
200V/10mA |
30.5mV |
±0.5%?设定值+FullRange0.1%±500mV |
|
40V/50mA |
30.5mV |
±0.5%?设定值+FullRange0.1%±500mV |
|
|
|
|
2).加流(FI)：
|
量程 |
分辨率 |
精度 |
|
10mA |
4.88uA |
±2%?设定值+FullRange0.1%±10uA |
|
2mA |
488nA |
±1%?设定值+FullRange0.1%±2uA |
|
200uA |
48.8nA |
±1%?设定值+FullRange0.1%±200nA |
|
20uA |
4.88nA |
±1%?设定值+FullRange0.1%±20nA |
|
2uA |
488pA |
±2%?设定值+FullRange0.1%±10nA |
