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商品详情
现在生产线上显影液涂覆方法主要有两种：日本HD产线传送谐波CSF-25-160-2A-GR连续喷雾显影和旋转浸没显影。光刻胶显影过程需要控制的主要工艺技术参数包括：显影温度、显影时间、显影液量、当量浓度、清洗、排风。
显影后的热烘培称为坚日本HD产线传送谐波CSF-25-160-2A-GR膜烘培，目的是蒸发掉硅片光刻胶中剩余溶剂，从而使光刻胶变硬，提高光刻胶与硅片的粘附性。坚膜过程也可以蒸发掉残余在硅片上的显影液和清洗用水。坚日本HD产线传送谐波CSF-25-160-2A-GR膜过程通常在硅片轨道系统的热板上，或在生产线上的专用炉中完成。坚膜温度大致为：正胶130℃，负胶150℃。
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