曝光后的硅片从曝光系统又回到硅片轨道系统，需要进行短时间的曝光后烘培。其目的是促进光刻胶的化学反应，哈默纳科精密硅片谐波CSF-25-160-2A-GR或者提高光刻胶的粘附性并减少驻波。在光刻胶的产品说明书中，生产商会提供后烘的时间和温度。进行后烘时，硅片放在自动轨道系统的一个热板上，处理的温度和时间需要根哈默纳科精密硅片谐波CSF-25-160-2A-GR据光刻胶的类型确定。典型后烘的温度90~130℃，时间1~2分钟。

        用化学显影液溶解由曝光造成的光哈默纳科精密硅片谐波CSF-25-160-2A-GR刻胶可溶解区域就是光刻胶显影，目的是把掩模版图形准确复制到光刻胶中。显影的要求重点是产生的关键尺寸达到规格要求。