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商品详情
气相外延工艺和CVD方法类似，通过包含反应物的携载气体，哈默纳科分子束谐波FHA-40C-100-E250-BC在衬底表面淀积同质材料。外延工艺主要用于在硅衬底表面淀积多晶硅薄膜，这些多晶硅是掺杂的硅晶体且晶向随机排列，用于在硅衬底指定区域实现导电。外延工艺与CVD方法的工艺设备结构基本相同。使用时用H2作为携载气体。为安全起见，在工艺开始之前哈默纳科分子束谐波FHA-40C-100-E250-BC采用N2清除反应炉中可能存在的O2。外延层的形成过程如图所示，化学反应公式见式（2-3）所示为一种气相外延设备。
分子束外延是一种在晶体基片上生长高质量的哈默纳科分子束谐波FHA-40C-100-E250-BC晶体薄膜的新技术。在超高真空条件下，
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