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双向可控硅导通后,通态电流仍从T1流向T2。这种触发就叫做Ⅲ-触发。双向可控硅虽然有以上四种触发,但由于负触发所需要的触发电压和电流都比较小。工作比较可靠,因此在实际使用时,负触发应用较多。特性编辑常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路,等等。可控硅的主要参数有:额定通态平均电流IT在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。正向峰值电压VPF在控制极开路未加触发,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值。对于较大的颗粒(颗粒), 以及在气体速度较高的情况下, 惯性压击机制是十分重要的颗粒收集手段。